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El fabricante coreano desarrolla con éxito la epitaxia Red InGaN para mejorar el rendimiento de los micro LED

May 27, 2022 Dejar un mensaje

Los medios de comunicación coreanos informaron el día 3 que el desarrollador de tecnología GaN de Corea del Sur, Soft-EPi, anunció el día 2 que había desarrollado y lanzado con éxito obleas epitaxiales rojas de GaN, que pueden mejorar el rendimiento de los Micro LED. Se dice que esta es la primera vez en Corea.


Es bien sabido en la industria que los materiales AlGaInP se utilizan generalmente para la preparación de Micro LED de luz roja. Sin embargo, debido a la limitación de las propiedades físicas, la eficiencia de los Micro LED de luz roja preparados con materiales AlGaInP se reducirá significativamente a medida que se reduzca el tamaño del chip, y en el proceso de transferencia de masa, los materiales AlGaInP también son muy evidentes.


Específicamente, el material AlGaInP tiene una alta tasa de recombinación superficial. Si se resuelve este problema, dará lugar a características de temperatura deficientes del LED. Al mismo tiempo, el material AlGaInP tiene propiedades mecánicas débiles y poca resistencia mecánica, lo que reducirá en gran medida el rendimiento de la transferencia de masa Micro LED. Además, el alto costo de la oblea también aumentará el costo del proceso Micro LED.


Por el contrario, el material InGaN tiene las ventajas de una brecha de banda ancha ajustable, alta estabilidad mecánica y longitud de difusión de orificio corto, y es compatible con los LED azules y verdes InGaN, lo que conduce a la realización de Micro LED a todo color. En los últimos años, ha recibido una gran atención en el campo de Micro LED y muchas fuerzas en todo el mundo han comenzado a estudiar activamente la aplicación de materiales basados ​​en InGaN en el campo de Micro LED, y Soft-EPi es una de ellas.


El año pasado, Soft-EPi produjo con éxito LED rojos basados ​​en GaN (GaN depositado en sustratos de zafiro) y usó el mismo método para desarrollar LED azules y LED verdes en sustratos de zafiro, lo que atrajo la atención de la industria. Más recientemente, Soft-EPi se ha centrado en mejorar el rendimiento y ha decidido lanzar obleas epitaxiales basadas en GaN rojo.


Soft-EPi señaló que, debido a la gran dificultad técnica, actualmente solo 4-5 empresas en el mundo pueden producir LED rojos basados ​​en GaN. Sin embargo, debido a que los fabricantes en el campo de las obleas epitaxiales rojas basadas en GaN han firmado acuerdos de cooperación exclusivos con fabricantes de marcas como Meta y Google, y existen muchas dificultades en la investigación y el desarrollo, los desarrolladores de Micro LED no pueden obtener obleas epitaxiales rojas basadas en GaN.


Soft-EPi ha integrado con éxito los LED rojos y verdes en la misma oblea y planea integrar y demostrar los LED azules dentro de este año. A continuación, Soft-EPi planea suministrar este producto a los desarrolladores de Micro LED interesados.


Sin embargo, el jefe del Centro de Investigación Soft-EPi dijo que aún se debe mejorar la eficiencia de las obleas epitaxiales de GaN rojo y que Soft-EPi continuará trabajando con los clientes para mejorar el rendimiento de los productos.


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