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Las curvas características del silicio y los diodos de germanio tienen las siguientes diferencias:
Apr 11, 2018

1) la corriente inversa del diodo de silicio es mucho más pequeña que la del diodo de germanio. El tubo de germanio es la clase mA y el tubo de silicio es el nivel nA. Esto se debe a que en la misma temperatura ge ni es tres órdenes de magnitud mayor que el silicio ni, por lo que bajo la misma concentración de dopaje de silicio Jane concentraciones menores que Jane de concentración de germanio, por lo que la corriente de saturación inversa del tubo de silicio es muy pequeña.

2) cuando la tensión directa es muy pequeña, la corriente del diodo es muy pequeña, y solo después de que la tensión directa alcance un cierto número de Ur, la corriente aumentará significativamente. Normalmente, el voltaje Ur se denomina voltaje de umbral del diodo, también conocido como voltaje de zona muerta o voltaje umbral. La tensión de umbral de un diodo de silicio es mayor que la tensión umbral del diodo de germanio porque el Is del diodo de silicio es mucho más pequeño que el del diodo de germanio. El voltaje umbral del diodo de silicio general es de aproximadamente 0,5 v ~ 0,6 v, y el voltaje umbral del diodo de germanio es de aproximadamente 0,1 v ~ 0,2 v.